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描述：AP3400CI 采用先进的沟槽技术，能提供出色的导通电阻（R₍DS（ON）₎）、低栅极电荷，且在栅极电压低至 2.5V 时仍可工作。该器件适用于电池保护或其他开关类应用。
一般特性
漏源电压（V₍DS₎）= 30V，漏极电流（I₍D₎）= 2A；
导通电阻（R₍DS（ON）₎）< 38mΩ（在栅源电压 V₍GS₎=10V 时，典型值 32mΩ）。
应用
电池保护
负载开关
不间断电源
描述：AP3400CI 采用先进的沟槽技术，能提供出色的导通电阻（R₍DS（ON）₎）、低栅极电荷，且在栅极电压低至 2.5V 时仍可工作。该器件适用于电池保护或其他开关类应用。
一般特性
漏源电压（V₍DS₎）= 30V，漏极电流（I₍D₎）= 2A；
导通电阻（R₍DS（ON）₎）< 38mΩ（在栅源电压 V₍GS₎=10V 时，典型值 32mΩ）。
应用
电池保护
负载开关
不间断电源
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