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描述：AP9N10SI 采用先进的沟槽技术，能提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并且可在低至 4.5V 的栅极电压下工作。该器件适合用作电池保护或其他开关类应用。
一般特性
漏源电压（Vds）= 100V，漏极电流（Id）= 5A当栅源电压（Vgs）为 10V 时，导通电阻（Rds (on)）≤ 110 毫欧
应用
锂电池保护
无线相关场景
手机快速充电
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描述：AP9N10SI 采用先进的沟槽技术，能提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并且可在低至 4.5V 的栅极电压下工作。该器件适合用作电池保护或其他开关类应用。
一般特性
漏源电压（Vds）= 100V，漏极电流（Id）= 5A当栅源电压（Vgs）为 10V 时，导通电阻（Rds (on)）≤ 110 毫欧
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